![PSMN8R5-40MLDX PSMN8R5-40MLDX](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/2/27/9/17/18/1866/nexpe_/manual/psmn8r5-40msdx.jpg)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 13.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN8R5-40MLDX NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 40V 60A LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK33, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 20 V.
Інші пропозиції PSMN8R5-40MLDX за ціною від 20.84 грн до 65.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN8R5-40MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 20 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN8R5-40MLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 20 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN8R5-40MLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PSMN8R5-40MLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 42A; Idm: 239A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 239A Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A On-state resistance: 21.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN8R5-40MLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 42A; Idm: 239A Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Power dissipation: 59W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 27nC Technology: NextPowerS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 239A Drain-source voltage: 40V Drain current: 42A On-state resistance: 21.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |