PSMN7R8-100PSEQ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 233.19 грн |
| 10+ | 204.33 грн |
| 100+ | 169.24 грн |
| 500+ | 141.22 грн |
| 1000+ | 120.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN7R8-100PSEQ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN7R8-100PSEQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 0.0078 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN7R8-100PSEQ за ціною від 118.8 грн до 269.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN7R8-100PSEQ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7110 pF @ 50 V |
на замовлення 2948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PSMN7R8-100PSEQ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
PSMN7R8-100PSEQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; Idm: 473A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 83A Pulsed drain current: 473A Power dissipation: 294W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
PSMN7R8-100PSEQ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN7R8-100PSE/SOT78/SIL3P |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
PSMN7R8-100PSEQ | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 83A; Idm: 473A; 294W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 83A Pulsed drain current: 473A Power dissipation: 294W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 128nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |