PSMN6R5-80PS,127 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 190.27 грн |
| 10+ | 152.15 грн |
| 100+ | 121.1 грн |
| 500+ | 96.16 грн |
| 1000+ | 81.59 грн |
| 2000+ | 77.51 грн |
| 5000+ | 73.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN6R5-80PS,127 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 210W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V.
Інші пропозиції PSMN6R5-80PS,127 за ціною від 79.25 грн до 261.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN6R5-80PS,127 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN6R5-80PS/SOT78/SIL3P |
на замовлення 5290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN6R5-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W Power dissipation: 210W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 71nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 470A Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 5.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN6R5-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W Power dissipation: 210W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 71nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 470A Mounting: THT Case: SOT78; TO220AB Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 5.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN6R5-80PS,127 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
товар відсутній |