на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 42.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN5R5-60YS,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0036 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN5R5-60YS,115 за ціною від 42.23 грн до 136.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN5R5-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN5R5-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD On-state resistance: 8.3mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 74A Gate charge: 56nC Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN5R5-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3501 pF @ 30 V |
на замовлення 29352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN5R5-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN5R5-60YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 31675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN5R5-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD On-state resistance: 8.3mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 74A Gate charge: 56nC Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN5R5-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0036 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 9173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN5R5-60YS,115 Код товару: 111161 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|