Продукція > NEXPERIA > PSMN5R0-80PS,127
PSMN5R0-80PS,127

PSMN5R0-80PS,127 NEXPERIA

NEXP-S-A0003059595-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN5R0-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+203.55 грн
10+ 149.74 грн
100+ 126.34 грн
500+ 108.63 грн
1000+ 91.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN5R0-80PS,127 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN5R0-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PSMN5R0-80PS,127 за ціною від 90.61 грн до 270.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN5R0-80PS,127 PSMN5R0-80PS,127 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN5R0-80PS.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 12 V
на замовлення 23033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.09 грн
10+ 176.48 грн
100+ 142.77 грн
500+ 119.09 грн
1000+ 101.97 грн
2000+ 96.02 грн
5000+ 90.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN5R0-80PS,127 PSMN5R0-80PS,127 Виробник : Nexperia PSMN5R0_80PS-2939054.pdf MOSFET PSMN5R0-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.09 грн
10+ 239.85 грн
100+ 170.33 грн
500+ 144.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN5R0-80PS,127 Виробник : NEXPERIA PSMN5R0-80PS.pdf PSMN5R0-80PS.127 THT N channel transistors
товар відсутній