на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 134.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN4R8-100BSEJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 405W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN4R8-100BSEJ за ціною від 130 грн до 333.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN4R8-100BSEJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 405W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN4R8-100BSEJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 405W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V |
на замовлення 7027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN4R8-100BSEJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN4R8-100BSE/SOT404/D2PAK |
на замовлення 20966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN4R8-100BSEJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0041 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 405W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 22699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN4R8-100BSEJ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 405W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 278nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN4R8-100BSEJ | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 405W Case: D2PAK; SOT404 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 278nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |