Продукція > NEXPERIA > PSMN4R0-40YS,115
PSMN4R0-40YS,115

PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA

4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+28.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN4R0-40YS,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0032 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PSMN4R0-40YS,115 за ціною від 27.88 грн до 96.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+38.6 грн
3000+ 36.39 грн
7500+ 36.09 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R0-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 64500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+39.03 грн
3000+ 35.38 грн
7500+ 33.7 грн
10500+ 30.16 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+39.93 грн
3000+ 37.78 грн
7500+ 37.39 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS22145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0032 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 33271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+68.8 грн
500+ 52.7 грн
1000+ 37.79 грн
5000+ 37.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : NEXPERIA psmn4r0-40ys.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.52 грн
6+ 63.16 грн
19+ 44.28 грн
52+ 42.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS22145-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN4R0-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0032 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 32021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+80.52 грн
16+ 49.88 грн
100+ 48.16 грн
500+ 43.19 грн
1000+ 38.4 грн
5000+ 36.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia PSMN4R0_40YS-2938854.pdf MOSFETs PSMN4R0-40YS/SOT669/LFPAK
на замовлення 58137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.12 грн
10+ 58.75 грн
100+ 40 грн
500+ 35.19 грн
1000+ 34.15 грн
1500+ 29.27 грн
3000+ 27.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN4R0-40YS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 66178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.96 грн
10+ 69.98 грн
100+ 54.43 грн
500+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : NEXPERIA psmn4r0-40ys.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.63 грн
5+ 78.7 грн
19+ 53.14 грн
52+ 50.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : NEXPERIA psmn4r0-40ys.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.63 грн
5+ 78.7 грн
19+ 53.14 грн
52+ 50.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-40YS,115 Виробник : Nexperia 4380981021624704psmn4r0-40ys.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
PSMN4R0-40YS,115 Виробник : NEXPERIA PSMN4R0-40YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 472A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 472A
Power dissipation: 106W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній