Продукція > NEXPERIA > PSMN3R0-60PS,127
PSMN3R0-60PS,127

PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA

NEXP-S-A0003059666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 306W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+153.64 грн
10+ 138.04 грн
100+ 111.52 грн
500+ 86.18 грн
1000+ 68.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 306W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 306W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції PSMN3R0-60PS,127 за ціною від 112.37 грн до 308.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Виробник : Nexperia 4382075083669142psmn3r0-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+204.73 грн
10+ 190.01 грн
100+ 166.81 грн
500+ 147.05 грн
1000+ 115.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN3R0-60PS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+255.69 грн
10+ 206.54 грн
100+ 167.08 грн
500+ 139.38 грн
1000+ 119.34 грн
2000+ 112.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Виробник : NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 824A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.36 грн
3+ 220.88 грн
5+ 182.06 грн
13+ 172.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Виробник : NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Power dissipation: 306W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 824A
Mounting: THT
Case: SOT78; TO220AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+308.84 грн
3+ 275.25 грн
5+ 218.47 грн
13+ 206.57 грн
250+ 199.01 грн
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Виробник : NEXPERIA 4382075083669142psmn3r0-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Виробник : Nexperia 4382075083669142psmn3r0-60ps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 Виробник : Nexperia PSMN3R0_60PS-2938906.pdf MOSFET PSMN3R0-60PS/SOT78/SIL3P
товар відсутній