Продукція > NEXPERIA > PSMN2R6-100SSFJ
PSMN2R6-100SSFJ

PSMN2R6-100SSFJ Nexperia

PSMN2R6_100SSF-3476145.pdf Виробник: Nexperia
MOSFETs NextPower 100 V, 2.6 m?, 200 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 package
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+346.6 грн
10+ 287.18 грн
25+ 212.41 грн
100+ 201.65 грн
250+ 192.32 грн
500+ 179.4 грн
1000+ 153.57 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R6-100SSFJ Nexperia

Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN2R6-100SSFJ за ціною від 137.7 грн до 392.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN2R6-100SSFJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+147.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
PSMN2R6-100SSFJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12838 pF @ 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+392.78 грн
10+ 254.22 грн
25+ 222.16 грн
100+ 174.69 грн
250+ 158.29 грн
500+ 148.3 грн
1000+ 137.7 грн
PSMN2R6-100SSFJ Виробник : NEXPERIA NextPower 100 V, 2.6 m, 200 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 package
товар відсутній