Продукція > NEXPERIA > PSMN2R5-60PLQ
PSMN2R5-60PLQ

PSMN2R5-60PLQ Nexperia


PSMN2R5_60PL-2939095.pdf Виробник: Nexperia
MOSFET PSMN2R5-60PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 4869 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+269.28 грн
10+ 223.06 грн
50+ 182.84 грн
100+ 157.12 грн
250+ 148.08 грн
500+ 139.74 грн
1000+ 113.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R5-60PLQ Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN2R5-60PLQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 349W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PSMN2R5-60PLQ за ціною від 129.68 грн до 290.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PLQ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN2R5-60PLQ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+290.12 грн
10+ 205.11 грн
100+ 166.12 грн
500+ 145.56 грн
1000+ 129.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PLQ Виробник : NEXPERIA 3012848346891952psmn2r5-60pl.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товар відсутній
PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PLQ Виробник : NEXPERIA PSMN2R5-60PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 1002A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 1002A
Power dissipation: 349W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PLQ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R5-60PL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
товар відсутній
PSMN2R5-60PLQ PSMN2R5-60PLQ Виробник : NEXPERIA PSMN2R5-60PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 1002A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 1002A
Power dissipation: 349W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній