Продукція > NEXPERIA > PSMN2R3-80SSFJ
PSMN2R3-80SSFJ

PSMN2R3-80SSFJ Nexperia

PSMN2R3_80SSF-3476171.pdf Виробник: Nexperia
MOSFETs NextPower 80 V, 2.3 mOhm, 240 Amp, N-channel MOSFET in LFPAK88 package
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+358.32 грн
10+ 296.26 грн
25+ 219.59 грн
100+ 208.1 грн
250+ 198.78 грн
500+ 185.86 грн
1000+ 158.59 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R3-80SSFJ Nexperia

Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V.

Інші пропозиції PSMN2R3-80SSFJ за ціною від 141.88 грн до 402.1 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN2R3-80SSFJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+151.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
PSMN2R3-80SSFJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 184 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.1 грн
10+ 261.03 грн
25+ 228.26 грн
100+ 179.7 грн
250+ 162.94 грн
500+ 152.72 грн
1000+ 141.88 грн
PSMN2R3-80SSFJ Виробник : NEXPERIA psmn2r3-80ssf.pdf Next Power 80 V, 2.3 m Ohm, 190 Amp, N-Channel MOSFET
товар відсутній