Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN2R3-100SSEJ
PSMN2R3-100SSEJ

PSMN2R3-100SSEJ Nexperia USA Inc.

PSMN2R3-100SSE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17200 pF @ 50 V
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+398.04 грн
10+ 321.45 грн
100+ 260.06 грн
500+ 216.94 грн
1000+ 185.75 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN2R3-100SSEJ Nexperia USA Inc.

Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 341W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17200 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PSMN2R3-100SSEJ за ціною від 239.74 грн до 456.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN2R3-100SSEJ PSMN2R3-100SSEJ Виробник : Nexperia PSMN2R3_100SSE-3084411.pdf MOSFET MOS DISCRETES
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+456.94 грн
10+ 386.3 грн
25+ 304.55 грн
100+ 280.16 грн
250+ 263.43 грн
500+ 246.71 грн
1000+ 239.74 грн
PSMN2R3-100SSEJ PSMN2R3-100SSEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN2R3-100SSE.pdf Description: APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 255A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17200 pF @ 50 V
товар відсутній