![PSMN1R9-40PLQ PSMN1R9-40PLQ](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/462/1727~SOT78~~3.jpg)
PSMN1R9-40PLQ Nexperia USA Inc.
![PSMN1R9-40PL.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 245.76 грн |
10+ | 198.91 грн |
100+ | 160.91 грн |
500+ | 134.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R9-40PLQ Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 349W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PSMN1R9-40PLQ за ціною від 119.87 грн до 289.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN1R9-40PLQ | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PSMN1R9-40PLQ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 150A; Idm: 1332A; 349W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A Pulsed drain current: 1332A Power dissipation: 349W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.15mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
PSMN1R9-40PLQ | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN1R9-40PLQ | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
PSMN1R9-40PLQ | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 40V; 150A; Idm: 1332A; 349W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 150A Pulsed drain current: 1332A Power dissipation: 349W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.15mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |