Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R5-30BLEJ
PSMN1R5-30BLEJ

PSMN1R5-30BLEJ Nexperia USA Inc.

PSMN1R5-30BLE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+181.25 грн
1600+ 149.45 грн
2400+ 140.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R5-30BLEJ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 401W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PSMN1R5-30BLEJ за ціною від 142.17 грн до 329.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30BLEJ Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R5-30BLE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 401W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 228 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14934 pF @ 15 V
на замовлення 9588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+300.04 грн
10+ 242.69 грн
100+ 196.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN1R5-30BLEJ PSMN1R5-30BLEJ Виробник : Nexperia PSMN1R5_30BLE-1479834.pdf MOSFETs PSMN1R5-30BLE/SOT404/D2PAK
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+329.29 грн
10+ 272.49 грн
25+ 231.38 грн
100+ 191.65 грн
250+ 187.47 грн
500+ 177.71 грн
800+ 142.17 грн
PSMN1R5-30BLEJ Виробник : NEXPERIA PSMN1R5-30BLE.pdf PSMN1R5-30BLEJ SMD N channel transistors
товар відсутній