PSMN1R5-25MLHX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.81mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3167 pF @ 12 V
Description: MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.81mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3167 pF @ 12 V
на замовлення 43500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 43.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN1R5-25MLHX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00146 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 106W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00146ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm.
Інші пропозиції PSMN1R5-25MLHX за ціною від 36.24 грн до 111.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN1R5-25MLHX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00146 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 106W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00146ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN1R5-25MLHX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.81mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3167 pF @ 12 V |
на замовлення 45287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN1R5-25MLHX | Виробник : Nexperia | MOSFETs PSMN1R5-25MLH/SOT1210/mLFPAK |
на замовлення 3264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PSMN1R5-25MLHX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN1R5-25MLHX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 150 A, 0.00146 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.73V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm |
на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|