Продукція > NEXPERIA USA INC. > PSMN1R4-40YSHX
PSMN1R4-40YSHX

PSMN1R4-40YSHX Nexperia USA Inc.

PSMN1R4-40YSH.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWERS3 MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7523 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R4-40YSHX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0014 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: LFPAK56E, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PSMN1R4-40YSHX за ціною від 46.66 грн до 135.7 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN1R4-40YSHX PSMN1R4-40YSHX Виробник : NEXPERIA PSMN1R4-40YSH.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0014 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+73.23 грн
500+ 61.19 грн
1000+ 46.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
PSMN1R4-40YSHX PSMN1R4-40YSHX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R4-40YSH.pdf Description: NEXTPOWERS3 MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7523 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.56 грн
10+ 91.03 грн
100+ 72.47 грн
500+ 57.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN1R4-40YSHX PSMN1R4-40YSHX Виробник : Nexperia PSMN1R4_40YSH-3372604.pdf MOSFET MOSFET PSMN1R4-40YSH/SOT1023
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.1 грн
10+ 101.54 грн
100+ 70.22 грн
250+ 65.28 грн
500+ 58.75 грн
1500+ 50.4 грн
3000+ 48.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN1R4-40YSHX PSMN1R4-40YSHX Виробник : NEXPERIA PSMN1R4-40YSH.pdf Description: NEXPERIA - PSMN1R4-40YSHX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 0.0014 ohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+135.7 грн
10+ 102.95 грн
100+ 73.23 грн
500+ 61.19 грн
1000+ 46.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
PSMN1R4-40YSHX Виробник : NEXPERIA psmn1r4-40ysh.pdf N-Channel 40 V, 1.4 mOhm, 240 A Standard Level MOSFET
товар відсутній