Продукція > NEXPERIA > PSMN1R0-30YLC,115
PSMN1R0-30YLC,115

PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA

psmn1r0-30ylc.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 137W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PSMN1R0-30YLC,115 за ціною від 47.84 грн до 157.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : Nexperia 805591521211776psmn1r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+59.2 грн
3000+ 57.23 грн
7500+ 57.17 грн
9000+ 52.65 грн
10500+ 48.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : Nexperia 805591521211776psmn1r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+60.05 грн
3000+ 58.06 грн
7500+ 57.99 грн
9000+ 53.41 грн
10500+ 49.41 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : Nexperia 805591521211776psmn1r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+60.17 грн
3000+ 58.17 грн
7500+ 58.1 грн
9000+ 53.51 грн
10500+ 47.84 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : Nexperia 805591521211776psmn1r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+61.26 грн
3000+ 58.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : Nexperia 805591521211776psmn1r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+65.98 грн
3000+ 63.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+70.55 грн
3000+ 64.54 грн
7500+ 62.12 грн
10500+ 56.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : Nexperia PSMN1R0_30YLC-2938827.pdf MOSFETs PSMN1R0-30YLC/SOT669/LFPAK
на замовлення 38510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.22 грн
10+ 79.55 грн
100+ 63.26 грн
250+ 62.92 грн
500+ 59.23 грн
1000+ 58.68 грн
1500+ 50.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : Nexperia 805591521211776psmn1r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+93.27 грн
4500+ 85.24 грн
9000+ 79.31 грн
13500+ 72.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : Nexperia 805591521211776psmn1r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+96.56 грн
10+ 87.59 грн
25+ 86.5 грн
100+ 74.27 грн
250+ 65.19 грн
500+ 58.57 грн
1000+ 50.02 грн
3000+ 49.47 грн
6000+ 48.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : Nexperia 805591521211776psmn1r0-30ylc.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 7288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
116+103.99 грн
128+ 94.33 грн
130+ 93.15 грн
146+ 79.99 грн
250+ 70.21 грн
500+ 63.07 грн
1000+ 53.87 грн
3000+ 53.27 грн
6000+ 52.67 грн
Мінімальне замовлення: 116
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+120.1 грн
10+ 93.59 грн
50+ 75.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.02 грн
5+ 109.35 грн
10+ 86.9 грн
27+ 82.56 грн
500+ 80.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN1R0-30YLC.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6645 pF @ 15 V
на замовлення 25888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.9 грн
10+ 118.91 грн
100+ 94.63 грн
500+ 75.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.23 грн
5+ 136.27 грн
10+ 104.28 грн
27+ 99.07 грн
500+ 96.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 Виробник : NEXPERIA PHGLS30003-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN1R0-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 850 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 137W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)