на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 34.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN102-200Y,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PSMN102-200Y,115 за ціною від 28.58 грн до 95.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V |
на замовлення 60873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK |
на замовлення 7430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN102-200Y,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 10133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN102-200Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN102-200Y,115 | Виробник : NEXPERIA |
PSMN102-200Y.115 SMD N channel transistors |
товар відсутній |