![PSMN0R9-30ULDX PSMN0R9-30ULDX](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/2ebaa11f29dbf8cd68be9b95244318cc5edff9d8/sot1023a_3d.jpg)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 229.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN0R9-30ULDX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 1592A, Case: SOT1023A, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 284A, On-state resistance: 1.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 227W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: logic level, Gate charge: 109nC, Technology: NextPowerS3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PSMN0R9-30ULDX
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN0R9-30ULDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
PSMN0R9-30ULDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
PSMN0R9-30ULDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
PSMN0R9-30ULDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|
PSMN0R9-30ULDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1592A Case: SOT1023A Drain-source voltage: 30V Drain current: 284A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 109nC Technology: NextPowerS3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
PSMN0R9-30ULDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
PSMN0R9-30ULDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
PSMN0R9-30ULDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|
PSMN0R9-30ULDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1592A Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1592A Case: SOT1023A Drain-source voltage: 30V Drain current: 284A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 227W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 109nC Technology: NextPowerS3 |
товар відсутній |