![PSMN0R7-25YLDX PSMN0R7-25YLDX](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/2/15/5/39/3/698/nexpe_/manual/sot1023_3d.jpg)
PSMN0R7-25YLDX NEXPERIA
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 38.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN0R7-25YLDX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN0R7-25YLDX - Leistungs-MOSFET, NextPowerS3, n-Kanal, 25 V, 300 A, 570 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 158W, Bauform - Transistor: SOT-1023, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN0R7-25YLDX за ціною від 80.14 грн до 196.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.66V euEccn: NLR Verlustleistung: 158W Bauform - Transistor: SOT-1023 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 570µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 158W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V |
на замовлення 8763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 235A; 158W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Mounting: SMD On-state resistance: 1.47mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 235A Gate charge: 110.2nC Drain-source voltage: 25V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN0R7-25YLDX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 235A; 158W Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023 Mounting: SMD On-state resistance: 1.47mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 158W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 235A Gate charge: 110.2nC Drain-source voltage: 25V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |