PSMN071-100NSEX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.3mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 559 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN071-100NSEX Nexperia USA Inc.
Description: PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.3mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA, Supplier Device Package: DFN2020M-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 559 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN071-100NSEX за ціною від 6.97 грн до 34.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN071-100NSEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82.3mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: DFN2020M-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 559 pF @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN071-100NSEX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN071-100NSE/SOT1220-2/DFN20 |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN071-100NSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN071-100NSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.8A T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN071-100NSEX | Виробник : NEXPERIA |
N-Channel MOSFET 100 V, 81 mOhm Standard Level |
товар відсутній |