PSMN059-150Y,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 37.27 грн |
| 3000+ | 33.79 грн |
| 7500+ | 32.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN059-150Y,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN059-150Y,115 за ціною від 30.42 грн до 85.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN059-150Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN059-150Y,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN059-150Y/SOT669/LFPAK |
на замовлення 3084 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN059-150Y,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN059-150Y,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN059-150Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.046 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN059-150Y,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1529 pF @ 30 V |
на замовлення 9892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN059-150Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN059-150Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN059-150Y,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN059-150Y,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; Idm: 129A; 113W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Pulsed drain current: 129A Power dissipation: 113W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 101mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
PSMN059-150Y,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN059-150Y,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; Idm: 129A; 113W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Pulsed drain current: 129A Power dissipation: 113W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 101mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |