на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 17.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN041-80YLX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 64W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN041-80YLX за ціною від 15.61 грн до 55.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN041-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm |
на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V |
на замовлення 7327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN041-80YL/SOT669/LFPAK |
на замовлення 2186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN041-80YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25 A, 0.0328 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 64W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN041-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN041-80YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN041-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PSMN041-80YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 100A; 64W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 64W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |