на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 326+ | 23.25 грн |
| 500+ | 19.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN038-100YLX Nexperia
Description: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 94.9W, Bauform - Transistor: LFPAK56, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN038-100YLX за ціною від 18.19 грн до 71.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN038-100YL/SOT669/LFPAK |
на замовлення 8488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN038-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94.9W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 94.9W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PSMN038-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21.3A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 94.9W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 103.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V |
на замовлення 2611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 21.3A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 94.9W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 103.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
PSMN038-100YLX (LFPAK56-5, Nexperia) транзистор N-канал Код товару: 153433 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
PSMN038-100YLX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
PSMN038-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |