PSMN029-100HLX

PSMN029-100HLX Nexperia USA Inc.


PSMN029-100HL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN029-100HLX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0251 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0251ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 68W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: LFPAK56D, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0251ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 68W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PSMN029-100HLX за ціною від 59.3 грн до 216.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN029-100HLX PSMN029-100HLX Виробник : NEXPERIA 3791090.pdf Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0251 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0251ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0251ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+128.18 грн
500+ 96.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
PSMN029-100HLX PSMN029-100HLX Виробник : Nexperia PSMN029_100HL-3051881.pdf MOSFET PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D
на замовлення 5461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+154.11 грн
10+ 125.52 грн
100+ 87.6 грн
250+ 80.65 грн
500+ 73 грн
1000+ 62.43 грн
1500+ 59.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN029-100HLX PSMN029-100HLX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN029-100HL.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 68W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3637pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.68 грн
10+ 126.88 грн
100+ 100.97 грн
500+ 80.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
PSMN029-100HLX PSMN029-100HLX Виробник : NEXPERIA 3791090.pdf Description: NEXPERIA - PSMN029-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0251 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0251ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 68W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0251ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 68W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+216.03 грн
10+ 171.58 грн
25+ 155.2 грн
100+ 128.18 грн
500+ 96.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN029-100HLX Виробник : NEXPERIA psmn029-100hl.pdf 100V N-Channel MOSFET
товар відсутній