![PSMN022-30PL,127 PSMN022-30PL,127](https://www.mouser.com/images/nexperia/lrg/Nexperia_SOT078_TO-220-3_SPL.jpg)
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 97.33 грн |
10+ | 79.55 грн |
100+ | 65.28 грн |
500+ | 55.55 грн |
1000+ | 42.62 грн |
2500+ | 42.55 грн |
5000+ | 40.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN022-30PL,127 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN022-30PL,127 за ціною від 39.13 грн до 111.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN022-30PL,127 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V |
на замовлення 7428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN022-30PL,127 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN022-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 125A; 41W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 41W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 4.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN022-30PL,127 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; Idm: 125A; 41W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 30A Pulsed drain current: 125A Power dissipation: 41W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27mΩ Mounting: THT Gate charge: 4.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |