![PSMN021-100YLX PSMN021-100YLX](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/40e5d18affd70487398d7ee35e182af9bae7cc40/sot669_3d.jpg)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 23.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN021-100YLX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 147W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PSMN021-100YLX за ціною від 25.01 грн до 74.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN021-100YLX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN021-100YLX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN021-100YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN021-100YLX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN021-100YLX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7155 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN021-100YLX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 147W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4640 pF @ 25 V |
на замовлення 5090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PSMN021-100YLX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN021-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
PSMN021-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 197A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 197A Power dissipation: 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 60.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PSMN021-100YLX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 197A; 147W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 197A Power dissipation: 147W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 60.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
товар відсутній |