на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 23.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN018-80YS,115 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.
Інші пропозиції PSMN018-80YS,115 за ціною від 22.93 грн до 67.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN018-80YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 |
на замовлення 7300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN018-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN018-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN018-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN018-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN018-80YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 80V 45A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 40 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 |
на замовлення 7391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN018-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PSMN018-80YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN018-80YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 80V 45A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
PSMN018-80YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD On-state resistance: 43mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 45A Gate charge: 26nC Drain-source voltage: 80V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN018-80YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 45A; 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Mounting: SMD On-state resistance: 43mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: 45A Gate charge: 26nC Drain-source voltage: 80V Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |