PSMN015-100YSFX

PSMN015-100YSFX Nexperia USA Inc.


PSMN015-100YSF.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN015-100YSFX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PSMN015-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0128 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: NextPower Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PSMN015-100YSFX за ціною від 24.39 грн до 78.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN015-100YSFX PSMN015-100YSFX Виробник : NEXPERIA 3982300.pdf Description: NEXPERIA - PSMN015-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0128 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+34.48 грн
1000+ 29.22 грн
Мінімальне замовлення: 500
PSMN015-100YSFX PSMN015-100YSFX Виробник : Nexperia PSMN015_100YSF-3216299.pdf MOSFETs NextPower 100 V, 15.5 mOhm N-channel MOSFET in LFPAK56 package
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.6 грн
10+ 56.66 грн
100+ 38.33 грн
500+ 32.48 грн
1000+ 28.71 грн
1500+ 24.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMN015-100YSFX PSMN015-100YSFX Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN015-100YSF.pdf Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2234 pF @ 50 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.39 грн
10+ 59.24 грн
100+ 46.1 грн
500+ 36.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
PSMN015-100YSFX PSMN015-100YSFX Виробник : NEXPERIA 3982300.pdf Description: NEXPERIA - PSMN015-100YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.0128 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+78.02 грн
13+ 61.29 грн
100+ 43.86 грн
500+ 34.48 грн
1000+ 29.22 грн
Мінімальне замовлення: 11