Продукція > NEXPERIA > PSMN015-100B,118
PSMN015-100B,118

PSMN015-100B,118 Nexperia


4282685363251502psmn015-100b.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+67.6 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PSMN015-100B,118 Nexperia

Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції PSMN015-100B,118 за ціною від 58.52 грн до 161.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+72.8 грн
Мінімальне замовлення: 800
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002880972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+91.47 грн
250+ 83.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+95.33 грн
100+ 82.46 грн
250+ 78.92 грн
500+ 72.68 грн
1000+ 64.13 грн
3000+ 58.52 грн
Мінімальне замовлення: 75
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
118+102.66 грн
Мінімальне замовлення: 118
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN015-100B.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.71 грн
10+ 110.63 грн
100+ 88.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia PSMN015_100B-1526073.pdf MOSFETs PSMN015-100B/SOT404/D2PAK
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.79 грн
10+ 122.62 грн
100+ 86.42 грн
250+ 85.72 грн
500+ 84.33 грн
800+ 60.56 грн
2400+ 59.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002880972-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PSMN015-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+161.83 грн
10+ 121.96 грн
50+ 110.23 грн
100+ 91.47 грн
250+ 83.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA 4282685363251502psmn015-100b.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA PSMN015-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : Nexperia USA Inc. PSMN015-100B.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
товар відсутній
PSMN015-100B,118 PSMN015-100B,118 Виробник : NEXPERIA PSMN015-100B.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 300W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 75A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній