![PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/40e5d18affd70487398d7ee35e182af9bae7cc40/sot669_3d.jpg)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 12.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN013-30YLC,115 Nexperia
Description: MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 26W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PSMN013-30YLC,115 за ціною від 12.34 грн до 45.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 521 pF @ 15 V |
на замовлення 4465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 16162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Power dissipation: 26W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PSMN013-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 32A Power dissipation: 26W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 27.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |