на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 53.98 грн |
| 3000+ | 51.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN013-100YSEX Nexperia
Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-100, SOT-669, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 238W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PSMN013-100YSEX за ціною від 47.31 грн до 134.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN013-100YSEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN013-100YSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN013-100YSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN013-100YSEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 82A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 238W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 50 V |
на замовлення 53136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN013-100YSEX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN013-100YSE/SOT669/LFPAK |
на замовлення 7231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN013-100YSEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMN013-100YSEX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 82A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PSMN013-100YSEX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; Idm: 330A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 58A Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PSMN013-100YSEX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; Idm: 330A; 238W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 58A Pulsed drain current: 330A Power dissipation: 238W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |