на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 24.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PSMN012-60YS,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: SOT-669, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PSMN012-60YS,115 за ціною від 23.67 грн до 76.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 118500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 118500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 2526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN012-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN012-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.008 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK |
на замовлення 33069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1685 pF @ 30 V |
на замовлення 4004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 59A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PSMN012-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PSMN012-60YS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 89W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 89W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |