Інші пропозиції PSMN011-30YLC,115 за ціною від 12.05 грн до 49.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN011-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PSMN011-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 0.0099 ohm, SC-100, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: SC-100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PSMN011-30YLC,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V |
на замовлення 13209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PSMN011-30YLC,115 | Виробник : Nexperia | MOSFETs PSMN011-30YLC/SOT669/LFPAK |
на замовлення 7773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PSMN011-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PSMN011-30YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 0.0099 ohm, SC-100, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.57V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: SC-100 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PSMN011-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 37A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PSMN011-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 150A; 29W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 37A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 29W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PSMN011-30YLC,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 37A; Idm: 150A; 29W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 37A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 29W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
PSMN011-30YLC | Виробник : Nexperia | MOSFETs |
товар відсутній |