Продукція > NEXPERIA > PMZ950UPEYL
PMZ950UPEYL

PMZ950UPEYL Nexperia

4377317802170734pmz950upe.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
957+12.64 грн
968+ 12.49 грн
1474+ 8.2 грн
2226+ 5.24 грн
3000+ 4.78 грн
6000+ 4.07 грн
15000+ 3.56 грн
Мінімальне замовлення: 957
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMZ950UPEYL Nexperia

Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMZ950UPEYL за ціною від 3.41 грн до 31.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia 4377317802170734pmz950upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
936+12.92 грн
1426+ 8.47 грн
2153+ 5.61 грн
2184+ 5.34 грн
5000+ 4.08 грн
10000+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 936
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ950UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 7275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.14 грн
16+ 18.51 грн
100+ 9.37 грн
500+ 7.18 грн
1000+ 5.32 грн
2000+ 4.48 грн
5000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia 4377317802170734pmz950upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 18908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+28.87 грн
29+ 20.88 грн
100+ 11.32 грн
250+ 10.35 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.32 грн
3000+ 4.26 грн
6000+ 3.78 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia 4377317802170734pmz950upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+29.22 грн
29+ 21.35 грн
100+ 12 грн
500+ 7.59 грн
1000+ 4.66 грн
2000+ 4.4 грн
5000+ 3.64 грн
10000+ 3.41 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia PMZ950UPE-2938898.pdf MOSFET Trench Mosfet 20V, P-channel
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.71 грн
14+ 23.32 грн
100+ 12.61 грн
500+ 8.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia 4377317802170734pmz950upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 3-Pin DFN T/R
товар відсутній
PMZ950UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ950UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -300mA
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 10000 шт
товар відсутній
PMZ950UPEYL PMZ950UPEYL Виробник : Nexperia USA Inc. PMZ950UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 500MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
товар відсутній
PMZ950UPEYL Виробник : NEXPERIA PMZ950UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -300mA
Pulsed drain current: -2A
Case: DFN1006-3; SOT883
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній