PMZ600UNELYL Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.5 грн |
| 30000+ | 3.31 грн |
| 50000+ | 2.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ600UNELYL Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PMZ600UNELYL за ціною від 2.79 грн до 27.3 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMZ600UNELYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMZ600UNELYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMZ600UNELYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMZ600UNELYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3 pF @ 10 V |
на замовлення 76434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMZ600UNELYL | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMZ600UNEL/SOT883/XQFN3 |
на замовлення 23644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PMZ600UNELYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PMZ600UNELYL | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| PMZ600UNELYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
|
|
PMZ600UNELYL | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.6A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| PMZ600UNELYL | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.4A Pulsed drain current: 2.5A Case: DFN1006-3; SOT883 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |