![PMZ390UN,315 PMZ390UN,315](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4847/568_SC-101_SOT-883.jpg)
PMZ390UN,315 Nexperia USA Inc.
![PMZ390UN.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 5.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMZ390UN,315 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-883, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PMZ390UN,315 за ціною від 4.5 грн до 24.9 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMZ390UN,315 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMZ390UN,315 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMZ390UN,315 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V |
на замовлення 135851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMZ390UN,315 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 31412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMZ390UN,315 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
PMZ390UN,315 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
PMZ390UN,315 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A On-state resistance: 0.79Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.3nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4A Mounting: SMD Case: DFN1006-3; SOT883 Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PMZ390UN,315 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A On-state resistance: 0.79Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1.3nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4A Mounting: SMD Case: DFN1006-3; SOT883 Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A |
товар відсутній |