Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMXB65UPEZ
PMXB65UPEZ

PMXB65UPEZ Nexperia USA Inc.

PMXB65UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+5.46 грн
10000+ 4.55 грн
25000+ 4.46 грн
50000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB65UPEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V.

Інші пропозиції PMXB65UPEZ за ціною від 3.62 грн до 34.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMXB65UPEZ PMXB65UPEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB65UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 6 V
на замовлення 70141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.62 грн
20+ 15.03 грн
100+ 7.59 грн
500+ 5.81 грн
1000+ 4.31 грн
2000+ 3.63 грн
Мінімальне замовлення: 14
PMXB65UPEZ PMXB65UPEZ Виробник : Nexperia PMXB65UPE-2938873.pdf MOSFET PMXB65UPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 43654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.8 грн
14+ 23.8 грн
100+ 8.29 грн
1000+ 5.3 грн
5000+ 4.25 грн
10000+ 3.83 грн
25000+ 3.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMXB65UPEZ PMXB65UPEZ Виробник : NEXPERIA 4380288958894533pmxb65upe.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 3.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMXB65UPEZ Виробник : NEXPERIA PMXB65UPE.pdf PMXB65UPEZ SMD P channel transistors
товар відсутній