Продукція > NEXPERIA > PMXB360ENEAZ
PMXB360ENEAZ

PMXB360ENEAZ NEXPERIA


4373093179389934pmxb360enea.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 80V 1.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB360ENEAZ NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMXB360ENEAZ за ціною від 5.51 грн до 27.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMXB360ENEAZ PMXB360ENEAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB360ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+6.7 грн
10000+ 5.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMXB360ENEAZ PMXB360ENEAZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB360ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.63 грн
15+ 19.38 грн
100+ 11.61 грн
500+ 10.08 грн
1000+ 6.86 грн
2000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMXB360ENEAZ PMXB360ENEAZ Виробник : Nexperia PMXB360ENEA-2938896.pdf MOSFET PMXB360ENEA/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 20257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.24 грн
16+ 20.44 грн
100+ 9.9 грн
1000+ 6.41 грн
5000+ 6.2 грн
10000+ 5.58 грн
25000+ 5.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMXB360ENEAZ Виробник : NEXPERIA PMXB360ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
Mounting: SMD
Case: DFN1010D-3; SOT1215
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
PMXB360ENEAZ Виробник : NEXPERIA PMXB360ENEA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 80V; 700mA; Idm: 4.4A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 887mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 4.5nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 4.4A
Mounting: SMD
Case: DFN1010D-3; SOT1215
товар відсутній