Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMXB350UPEZ
PMXB350UPEZ

PMXB350UPEZ Nexperia USA Inc.

PMXB350UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB350UPEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMXB350UPEZ за ціною від 4.32 грн до 31.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMXB350UPEZ PMXB350UPEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB350UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 447mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 5.68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.4 грн
15+ 20.18 грн
100+ 10.18 грн
500+ 8.46 грн
1000+ 6.58 грн
2000+ 5.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMXB350UPEZ PMXB350UPEZ Виробник : Nexperia PMXB350UPE-2938683.pdf MOSFET PMXB350UPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.79 грн
15+ 22.12 грн
100+ 8.64 грн
1000+ 5.99 грн
5000+ 5.64 грн
10000+ 5.09 грн
50000+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMXB350UPEZ PMXB350UPEZ Виробник : NEXPERIA 4380397215825130pmxb350upe.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3-Pin DFN-D EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMXB350UPEZ Виробник : NEXPERIA PMXB350UPE.pdf PMXB350UPEZ SMD P channel transistors
товар відсутній