Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMXB120EPEZ
PMXB120EPEZ

PMXB120EPEZ Nexperia USA Inc.

PMXB120EPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+6.59 грн
10000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMXB120EPEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010D-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMXB120EPEZ за ціною від 5.5 грн до 28.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMXB120EPEZ PMXB120EPEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMXB120EPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
на замовлення 29811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.94 грн
16+ 19.03 грн
100+ 11.42 грн
500+ 9.93 грн
1000+ 6.75 грн
2000+ 6.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMXB120EPEZ PMXB120EPEZ Виробник : Nexperia PMXB120EPE-2938682.pdf MOSFET PMXB120EPE/SOT1215/DFN1010D-3
на замовлення 18551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.31 грн
16+ 21.58 грн
100+ 10.23 грн
1000+ 6.56 грн
5000+ 6.21 грн
10000+ 5.57 грн
25000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 12
PMXB120EPEZ PMXB120EPEZ Виробник : NEXPERIA 4380402697379895pmxb120epe.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2.4A 3-Pin DFN-D EP T/R
товар відсутній
PMXB120EPEZ Виробник : NEXPERIA PMXB120EPE.pdf PMXB120EPEZ SMD P channel transistors
товар відсутній