PMT560ENEAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 715mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 8.53 грн |
| 2000+ | 7.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMT560ENEAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.527ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMT560ENEAX за ціною від 6.13 грн до 31.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMT560ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.527ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMT560ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMT560ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.1 A, 0.527 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.527ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMT560ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 715mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 112 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMT560ENEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMT560ENEA/SOT223/SC-73 |
на замовлення 4973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMT560ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 700mA; Idm: 4.4A; SC73,SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.7A Pulsed drain current: 4.4A Case: SC73; SOT223 On-state resistance: 1.62Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PMT560ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMT560ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 700mA; Idm: 4.4A; SC73,SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.7A Pulsed drain current: 4.4A Case: SC73; SOT223 On-state resistance: 1.62Ω Mounting: SMD Gate charge: 4.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level |
товар відсутній |