PMPB29XPEAX

PMPB29XPEAX Nexperia USA Inc.


PMPB29XPEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 908 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.59 грн
12+ 25.49 грн
100+ 17.7 грн
500+ 12.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMPB29XPEAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMPB29XPEAX за ціною від 8.55 грн до 33.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMPB29XPEAX PMPB29XPEAX Виробник : Nexperia PMPB29XPEA-1370640.pdf MOSFET PMPB29XPEA/SOT1220/SOT1220
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.98 грн
12+ 28.3 грн
100+ 17.1 грн
500+ 13.42 грн
1000+ 10.85 грн
3000+ 8.83 грн
9000+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMPB29XPEAX PMPB29XPEAX Виробник : NEXPERIA 2693033.pdf Description: NEXPERIA - PMPB29XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.028 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMPB29XPEAX PMPB29XPEAX Виробник : NEXPERIA 2693033.pdf Description: NEXPERIA - PMPB29XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.028 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
PMPB29XPEAX PMPB29XPEAX Виробник : NEXPERIA pmpb29xpea.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin DFN-MD EP T/R
товар відсутній
PMPB29XPEAX Виробник : NEXPERIA PMPB29XPEA.pdf PMPB29XPEAX SMD P channel transistors
товар відсутній
PMPB29XPEAX PMPB29XPEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMPB29XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній