PMPB20EN,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.39 грн |
| 6000+ | 6.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB20EN,115 Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: DFN2020MD-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10.
Інші пропозиції PMPB20EN,115 за ціною від 5.85 грн до 32.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB20EN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMPB20EN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 10 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 |
на замовлення 6270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMPB20EN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMPB20EN,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMPB20EN/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 4223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMPB20EN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB20EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10.4 A, 0.0165 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMPB20EN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
PMPB20EN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
PMPB20EN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
PMPB20EN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| PMPB20EN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 30A Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| PMPB20EN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 30A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.6A Pulsed drain current: 30A Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |