на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMPB15XP,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB15XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11.8 A, 0.015 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMPB15XP,115 за ціною від 9.38 грн до 39.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMPB15XP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMPB15XP,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2875 pF @ 6 V |
на замовлення 8913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMPB15XP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB15XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 11.8 A, 0.015 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMPB15XP,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMPB15XP/SOT1220/SOT1220 |
на замовлення 4522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| PMPB15XP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -33A; 1.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.2A Pulsed drain current: -33A Power dissipation: 1.7W Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
| PMPB15XP,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -12V; -5.2A; Idm: -33A; 1.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -5.2A Pulsed drain current: -33A Power dissipation: 1.7W Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |