Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMH1200UPEH
PMH1200UPEH

PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.

PMH1200UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.47 грн
30000+ 3.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN0606-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMH1200UPEH за ціною від 3.47 грн до 26.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMH1200UPEH PMH1200UPEH Виробник : Nexperia USA Inc. PMH1200UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
на замовлення 30098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.37 грн
18+ 16.7 грн
25+ 14.64 грн
100+ 8.88 грн
250+ 7.36 грн
500+ 5.88 грн
1000+ 4.44 грн
2500+ 3.86 грн
5000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMH1200UPEH PMH1200UPEH Виробник : Nexperia PMH1200UPE-1545558.pdf MOSFET PMH1200UPE/SOT8001/DFN0606-3
на замовлення 18598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.75 грн
20+ 16.43 грн
100+ 8.22 грн
500+ 6.55 грн
1000+ 5.02 грн
2500+ 4.39 грн
5000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMH1200UPEH PMH1200UPEH Виробник : NEXPERIA pmh1200upe.pdf 30 V, P-channel Trench MOSFET
товар відсутній