на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMGD290XN,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 410mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMGD290XN,115 за ціною від 4.43 грн до 28.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMGD290XN,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMGD290XN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMGD290XN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMGD290XN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMGD290XN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 410mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMGD290XN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMGD290XN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 11234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMGD290XN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 410mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 87765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMGD290XN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 11234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMGD290XN,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMGD290XN/SOT363/SC-88 |
на замовлення 186963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMGD290XN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 410mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 71650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
PMGD290XN,115 Код товару: 127291 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
|
|
PMGD290XN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |