PMEG200G30ELPX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PMEG200G30ELP/SOD128/FLATPOWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 2A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 14 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V
Description: PMEG200G30ELP/SOD128/FLATPOWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 2A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 14 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.3 грн |
| 6000+ | 10.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG200G30ELPX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMEG200G30ELPX - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, CFP5 (SOD-128), 2 Pin(s), 880 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: CFP5 (SOD-128), Durchlassstoßstrom: -, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 880mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMEG200G30ELPX за ціною від 9.27 грн до 39.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMEG200G30ELPX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMEG200G30ELPX - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, CFP5 (SOD-128), 2 Pin(s), 880 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP5 (SOD-128) Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 880mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMEG200G30ELPX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PMEG200G30ELP/SOD128/FLATPOWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 2A (Io) Reverse Recovery Time (trr): 14 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: SOD-128/CFP5 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V |
на замовлення 10743 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMEG200G30ELPX | Виробник : Nexperia |
 Rectifiers PMEG200G30ELP/SOD128/FlatPower |
на замовлення 5024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMEG200G30ELPX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMEG200G30ELPX - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, CFP5 (SOD-128), 2 Pin(s), 880 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP5 (SOD-128) Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 880mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMEG200G30ELPX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 31ns; SOD128; Ufmax: 0.81V; Ir: 30nA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Case: SOD128 Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.81V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 31ns Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 30nA кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMEG200G30ELPX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 31ns; SOD128; Ufmax: 0.81V; Ir: 30nA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Case: SOD128 Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.81V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 31ns Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 30nA |
товар відсутній |