PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 6.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMDXB950UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 265mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 265mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMDXB950UPEZ за ціною від 5.23 грн до 30.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDXB950UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB950UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 265mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 265mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDXB950UPEZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 265mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN1010B-6 Part Status: Active |
на замовлення 11750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDXB950UPEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6 |
на замовлення 6430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDXB950UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB950UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 265mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN1010B Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 265mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMDXB950UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDXB950UPEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 144970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PMDXB950UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMDXB950UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -300mA Pulsed drain current: -2A Case: DFN1010B-6; SOT1216 On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PMDXB950UPEZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -20V; -300mA; Idm: -2A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -300mA Pulsed drain current: -2A Case: DFN1010B-6; SOT1216 On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |