PMDPB30XN,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 490mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.82 грн |
| 6000+ | 9.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMDPB30XN,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMDPB30XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.032 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-1118, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMDPB30XN,115 за ціною від 7.81 грн до 43.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMDPB30XN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDPB30XN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 490mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active |
на замовлення 6621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDPB30XN,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMDPB30XN/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 5789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMDPB30XN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMDPB30XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.032 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.17W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.17W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMDPB30XN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMDPB30XN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
PMDPB30XN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
PMDPB30XN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PMDPB30XN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 2.6A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 12A Case: DFN2020-6; HUSON6; SOT1118 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 69mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| PMDPB30XN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 2.6A; Idm: 12A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 12A Case: DFN2020-6; HUSON6; SOT1118 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 69mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |